Samsung: SSD 850 Evo
V prosinci 2014 představil Samsung SSD 850 Evo založené na 3bit 3D V-NAND technologii, která zvyšuje výkon díky překonání omezení běžné planární NAND architektury z hlediska hustoty. Architektura 3D V-Nand totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala velikost buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Výsledkem je vyšší hustota a větší výkon na menší ploše.
SSD Samsung 850 Evo mSATA jsou k dispozici v kapacitách 1 TB, 500 GB, 250 GB a 120 GB. Rychlost čtení je až 540 MB/s a zápisu až 520 MB/s. Model 850 Evo M.2 je k dispozici ve velikosti 500 GB, 250 GB a 120 GB. Rychlost čtení je v případě tohoto SSD až 540 MB/s a rychlost zápisu až 500 MB/s.
Disky spravují přenosy dat a multitaskingové operace pomocí technologie Samsung TurboWrite. Modely s kapacitou 500 GB a 1 TB tak zvládají náhodnou rychlost zápisu až 88 000 IOPS (input/output operací za sekundu) a náhodnou rychlost čtení až 97 000 IOPS.
Podobně jako u 2,5palcového SSD Samsung 850 Evo nabízejí M.2 a mSATA disky 256bitové hardwarové šifrování AES pro zajištění bezpečnosti a ochrany dat.
Samsung M.2 a mSATA 850 Evo SSD mají pětiletou záruku a výdrž 150 TBW (celkově zapsaných bajtů) v případě modelů s kapacitou 500 GB a vyšší.
