Samsung představil 128GB úložiště pro smartphony a tablety
„Očekáváme, že uvedením naší série 3bit eMMC 5.0 na bázi NAND, se dostaneme do vedení v expanzi vysokokapacitních mobilních úložišť. Pokračujeme v rozvoji naší nabídky mobilních pamětí s vylepšeným výkonem a vyšší kapacitou, která uspokojí rostoucí poptávku zákazníků napříč celým odvětvím mobilních telefonů,“ řekl Dr. Jung-Bae Lee ze společnosti Samsung.
Při sekvenčním čtení dat dosahuje úložiště rychlosti 260 MB/s (jde tedy o stejný výkon jako v případě paměti MLC eMMC 5.1 na bázi NAND). Náhodný výkon čtení a zápisu je 6 000 IOPS, resp. 5 000 IOPS, což je dostačující i pro podporu videí s vysokým rozlišením nebo multitasking. Ve srovnání s externími paměťovými kartami jsou rychlosti čtení a zápisu přibližně 4krát a 10krát vyšší.