Představení 25nm výrobního procesu u NAND flash pamětí

Na flash paměť NAND jsou ukládána data, která zůstávají v paměti i po vypnutí daného zařízení. Zmenšující se proces výroby NAND umožňuje průběžný vývoj a uplatnění této technologie. 25nm proces je nejmenší technologií NAND a zároveň jde o nejmenší polovodičovou technologii na světě.

Celá 25nm procení technologie byla vyvinuta společným podnikem společností Intel a Micron na výrobu pamětí NAND flash – IM Flash Technologies (IMFT). Díky tomuto procesu je možné uložit 8 GB na jedinou součástku NAND. Ta měří pouhých 167 mm2, tedy tak málo, že se vejde do otvoru uprostřed kompaktního disku (CD). Přitom dokáže pojmout více než 10× tolik, co standardní 700MB CD.

Díky jejich úsilí a investicím do výzkumu a vývoje se společnostem Intel a Micron daří zdvojnásobit hustotu NAND zhruba každých 18 měsíců. To vede k menším a cenově efektivnějším produktům s vyšší kapacitou. Společnosti Intel a Micron založily firmu IMFT v roce 2006, kdy začaly s výrobou pomocí 50nm procesní technologie. Následovalo nasazení 34nm procesní technologie v roce 2008, které je nyní střídáno 25nm procesem.

„Být v čele polovodičového odvětví s nejpokročilejší procesní technologií je pro Intel a Micron fenomenální událost a doufáme, že se nám podaří posunout hranice zmenšování ještě dál,“ řekl Brian Shirley, viceprezident divize pamětí společnosti Micron. „Tato produkční technologie našim zákazníkům přinese výrazné výhody prostřednictvím multimediálních zařízení s vyšší úložnou kapacitou.“

„Díky našim investicím do IMFT můžeme nabídnout technologii a výrobu cenově nejefektivnější a nejspolehlivější paměti NAND,“ uvedl Tom Rampone, viceprezident a generální ředitel Intel NAND Solutions Group. „To pomůže rychleji začlenit SSD disky do počítačového odvětví.“

Nová 25nm 8GB NAND flash paměť je ve fázi testování a její masová produkce je naplánována na druhé čtvrtletí letošního roku. Pro výrobce spotřební elektroniky nabízí nejvyšší hustotu v jediném 2bpc (2 bits-per-cell) MLC (multi-level cell) čipu, který se vejde do standardního pouzdra TSOP (thin small-outline package). Několik 8GB pamětí lze nakupit na sebe do jednoho pouzdra a zvýšit tím úložnou kapacitu. Díky 25nm technologii se snížil počet čipů oproti předchozí procesní technologii o 50 %, což umožňuje vyrábět menší přístroje s vyšší úložnou kapacitou a lepší cenovou efektivitou. Například 256GB SSD disk lze nyní vyrobit z pouhých 32 NAND flash pamětí (oproti předchozím 64), 32GB smartphone potřebuje čtyři a 16GB flash karta pouhé dvě.