Připravované paměti typu UFS 4.0 opět posunou výkon mobilních telefonů
Čipy od společnosti Micron mají podle prozatím dostupných údajů porážet konkurenční řešení v několika různých testovacích aplikacích a v praxi mají do nejvyšší třídy smartphonů doručit opět o něco rychlejší startování systému i spouštění aplikací včetně rychlejšího načítání a práce s objemově náročnými videi a dalšími (nejenom) multimediálními soubory.
UFS 4.0 paměti jsou prvním mobilním řešením firmy Micron založeným na inovativním 232vrstvých „triple-level“ buňkách (TLC) NAND buňkách. Oproti předchozí generaci (UFS 3.1) se 176vrstvými NAND čipy výrobce slibuje až 100% nárůst paměťové propustnosti při zápisu dat a až 75% nárůst propustnosti při čtení. Výrazného zlepšení by se mělo dočkat také tzv. náhodné čtení, což by se mělo projevit v dalším zvýšení uživatelské odezvy napříč prostředím a aplikacemi.
Použitá 232vrstvá architektura 3D NAND společnosti Micron umožňuje poskládat více bitů na čtvereční milimetr křemíku díky tomu, že jednotlivé paměťové buňky skládá do více vrstev, čímž lze dosáhnout větší hustoty, lepšího výkonu i vyšší kapacity.
Klíčové vlastnosti UFS 4.0:
- až dvojnásobné zvýšení výkonu oproti UFS 3.1;
- rychlost až 4 300 MB/s při sekvenčním čtení a až 4 000 MB/s při sekvenčním zápisu;
- až 10% snížení latence při zápisu dat;
- o 25 % vyšší energetická efektivita;
- interně vyvinuté řadiče a firmware.
Dostupnost
Micron aktuálně dodává výrobcům mobilních telefonů a chipsetů vzorky s kapacitou 256 GB až 1 TB.
Masová produkce by měla být zahájena během druhé poloviny roku 2023.
